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思密达威武:韩国抢先Intel注册3-D晶体管专利

来源:驱动之家
2011年05月26日12:04
  据韩国电子新闻报导,Intel不久前宣布领先全球开发出了3-D晶体管,但是韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间比Intel早约10天,若受审核为同样的技术,韩国将可获得庞大的专利权使用收入。

  首尔大学电机工程学系教授李锺浩(译名)表示,在韩国及美国持有与Intel发表的3-D晶体管工艺技术Tri-Gate MOSFET相同的Bulk FinFET相关技术专利。他表示,两项技术只有名称不同,但应用的方式是相同的。

  李锺浩表示,从Intel目前为止公开的资料来看,与韩国持有的专利技术完全相同,相关技术韩国已取得韩国境内及美国的专利权,并发表60多篇论文,在技术方面是已得到验证的事实。

  Bulk FinFET技术2002年1月30日已在韩国申请专利,且于2003年8月成功登录专利,接著2003年2月4日向美国申请专利,并于2年后的2005年4月26日完成登录,而Intel则在晚李锺浩10天的2003年2月14日,才提出Tri-Gate MOSFET专利申请。

  Intel发表的3-D垫晶体工艺技术可增加晶体管通道数量,增加电流量,电流流失与目前的2D晶体管相比显著减少,大幅提升其效率。此外,此3-D晶体管技术也适合用在微细工艺,提升芯片集积度。

  Intel计划将该计数应用在22nm量产工艺中,进入行动装置芯片市场。行动芯片需求持续增加,李锺浩的专利技术若审核后确定为同样的技术,将可获得数量庞大的专利金。

  Bulk FinFET技术的美国专利及发明者皆登录为李锺浩,专利权则由专利营销专门公司PNIB所持有。此外,该技术相关的多数应用技术也由李 锺浩及其所属的首尔大学共同持有。李锺浩当时提出相关技术专利申请后,曾邀请韩国企业进行共同开发,然当时因技术不具商业性为由遭拒。

  李锺浩表示,先申请专利者可获得专利权法保护,而经过确认后,确实比Intel更早提出专利申请,应没有其它问题。为取得美国专利权保护,将会以Intel为对象,与PNIB共同进入相关法律程序。(硬派)

思密达威武:韩国抢先Intel注册3-D晶体管专利
(责任编辑:Newshoo)
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